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IXUC160N075
Symbol
Q g(on)
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
250
nC
ISOPLUS 220 Outline
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R thJC
R thCH
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 100 A
V GS = 10 V, V DS =40 V,
I D = 90 A, R G = 4.7 ?
tbd
tbd
50
40
190
55
0.30
0.5
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V SD
t rr
I F = 80 A, V GS = 0 V
Note 3
I F = 90 A, di/dt = -250 A/ μ s, V DS = 0.5 V DSS
1.1
120
1.5
V
ns
Note: 1. MOSFET chip capability
2. Intrinsic diode capability
3. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
6,404,065B1
6,259,123B1
6,162,665
6,306,728B1
6,534,343
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